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光刻機(jī)應(yīng)用的光刻技術(shù)是將二維圖案轉(zhuǎn)印到平坦基板上的方法。可以通過(guò)以下兩種基本方法之一實(shí)現(xiàn)圖案化：直接寫(xiě)入圖案，或通過(guò)掩模版/印章轉(zhuǎn)移圖案。限定的圖案可以幫助限定襯底上的特征（例如蝕刻），或者可以由沉積的圖案形成特征。通過(guò)計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)（CAD）定義圖案模式。多數(shù)情況下，這些特征是使用抗蝕劑形成的，可以使用光（使用光致抗蝕劑），電子束（使用電子束抗蝕劑）或通過(guò)物理沖壓（不需要抗蝕劑，也叫納米壓印）來(lái)定義圖案特征。圖案的特征可以被轉(zhuǎn)移到另一個(gè)層蝕刻，電鍍或剝離。光刻機(jī)的用料：1、...

光刻機(jī)就是把芯片制作所需要的線路與功能區(qū)做出來(lái)。利用光刻機(jī)發(fā)出的光通過(guò)具有圖形的光罩對(duì)涂有光刻膠的薄片曝光，光刻膠見(jiàn)光后會(huì)發(fā)生性質(zhì)變化，從而使光罩上得圖形復(fù)印到薄片上，從而使薄片具有電子線路圖的作用。這就是光刻機(jī)的作用，類(lèi)似照相機(jī)照相。照相機(jī)拍攝的照片是印在底片上，而光刻刻的不是照片，而是電路圖和其他電子元件。光刻機(jī)技術(shù)是一種精密的微細(xì)加工技術(shù)。常規(guī)光刻技術(shù)是采用波長(zhǎng)為2000～4500埃的紫外光作為圖像信息載體，以光致抗光刻技術(shù)蝕劑為中間媒介實(shí)現(xiàn)圖形的變換、轉(zhuǎn)移和處理，然后...

光刻機(jī)，這是一個(gè)全新已經(jīng)被生產(chǎn)廠家驗(yàn)證過(guò)的新型光刻曝光設(shè)備。它以及晶圓對(duì)晶圓（W2W）接合曝光和測(cè)試系統(tǒng)，可滿足用戶對(duì)更高光刻精度的需求。業(yè)內(nèi)向更小結(jié)構(gòu)和更密集封裝生產(chǎn)轉(zhuǎn)型的趨勢(shì)帶來(lái)了眾多的新挑戰(zhàn)，如對(duì)更高精度的要求，因?yàn)檫@將嚴(yán)重影響設(shè)備的偏差律，并最終影響生產(chǎn)效率和增加成本。光刻機(jī)可較大提高對(duì)準(zhǔn)精度-范圍從1微米至0.1微米-從而為生產(chǎn)廠家在先進(jìn)微電子、化和物半導(dǎo)體、硅基電功率、三維集成電路和納米等幾乎所有相關(guān)產(chǎn)業(yè)提供了解決方案。光刻機(jī)增加了對(duì)準(zhǔn)精度，該系列包括了光刻機(jī)、對(duì)...

晶圓鍵合自動(dòng)系統(tǒng)匯集多項(xiàng)技術(shù)突破，令半導(dǎo)體行業(yè)向?qū)崿F(xiàn)3D-IC硅片通道高容量生產(chǎn)的目標(biāo)又邁進(jìn)了一步。新系統(tǒng)晶圓對(duì)晶圓排列精度是過(guò)去標(biāo)準(zhǔn)平臺(tái)的三倍，生產(chǎn)能力更是比先前高出50%，此外GEMINIFBXT平臺(tái)還為半導(dǎo)體行業(yè)應(yīng)用3D-IC及硅片通道技術(shù)掃清了幾大關(guān)鍵障礙，使半導(dǎo)體行業(yè)能夠在未來(lái)不斷提升設(shè)備密度，強(qiáng)化設(shè)備機(jī)能，同時(shí)又無(wú)需求助于越發(fā)昂貴復(fù)雜的光刻工藝技術(shù)。晶圓對(duì)晶圓鍵合自動(dòng)系統(tǒng)是激活諸如堆疊式內(nèi)存，邏輯記憶以及未來(lái)互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體圖像感應(yīng)器等3D裝置的一個(gè)關(guān)鍵步驟。...

EV集團(tuán)（EVG）是面向MEMS，納米技術(shù)和半導(dǎo)體市場(chǎng)的晶圓鍵合機(jī)和納米壓印機(jī)的先進(jìn)供應(yīng)商，今天宣布，它已與先進(jìn)的技術(shù)集團(tuán)之一的肖特（SCHOTT）合作在特種玻璃和玻璃陶瓷領(lǐng)域，證明了12英寸納米壓印光刻技術(shù)（NIL）已準(zhǔn)備好用于制造波導(dǎo)/光的高折射率（HRI）玻璃晶片的大量圖案下一代增強(qiáng)/混合現(xiàn)實(shí)（AR/MR）耳機(jī)指南。此次合作涉及EVG公司專有的SmartNIL納米壓印工藝和SCHOTT的RealView高折射率玻璃晶片，并且將EVG的NILPhotonics內(nèi)開(kāi)展在公司...